摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關(guān)資訊

2019-12-05

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產(chǎn)品特性:
　　調(diào)Q開關(guān)廠家告訴您:光學(xué)級(jí)摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體以及鈮酸鋰（LN）晶體擁有較好的電光性能，非線性系數(shù)大，光學(xué)均勻性好，機(jī)械及化學(xué)性能穩(wěn)定，不潮解，半波電壓低，其缺點(diǎn)是消光比低，抗損傷閾值低，常被應(yīng)用于低重復(fù)頻率（100Hz）。

應(yīng)用范圍：
　　MgO:LN以及LN電光調(diào)Q開關(guān)應(yīng)用廣泛，常被應(yīng)用于Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG激光器中，適應(yīng)于低功率調(diào)Q輸出，尤其在激光測(cè)距領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。本公司推出LN電光開關(guān)和電光調(diào)制器可為客戶提供最緊湊的小體積設(shè)計(jì)，可按客戶要求改變外殼圖紙，便于最終調(diào)試和應(yīng)用。

摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關(guān)

標(biāo)準(zhǔn)要求（LN電光調(diào)Q及電光調(diào)制器）
截面	zui大	20 x 20 mm2
	zui小	4 x 1mm2
長(zhǎng)度	zui大	60 mm
	zui小	5 mm
定向		10分
平面度		λ/8 @ 633nm
透過(guò)畸變		λ/4 @ 633nm
光學(xué)平行		< 20 arc sec.
側(cè)垂		< 5 arc sec.
光潔度		10-5 膜后20-10
輸入/輸出端鍍膜		300-3000nm可訂制
質(zhì)量有效期		一年

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
序列號(hào)	通光孔徑	外殼尺寸（可按客戶設(shè)計(jì)）	半波λ/4電壓
CPLPC-025-633nm-M	2.5mm	直徑20mm x66mm 晶體尺寸 4x2.5x60mm	400V λ/2 at 633nm電光調(diào)制
CPLPC-05-633nm-M	5mm	直徑25.4mm x36mm 晶體尺寸 5x5x30mm	800V λ/2 at 633nm電光調(diào)制
CPMLPC-09-1064nm-Q	9 mm	直徑30mm x 26mm	2100V λ/4 at 1064nm 電光調(diào)Q
CPMLPC-06-1064nm-Q	6 mm	直徑25.4mm x 26mm	1400V λ/4 at 1064nm 電光調(diào)Q
CPMLPC-09-1064-Q-S	9mm	方型設(shè)計(jì) 18 x 17 x 20mm	2100V λ/4 at 1064nm 電光調(diào)Q
整體透過(guò)率	>98%	晶體透過(guò)畸變	λ/6 @ 633nm
插入損耗	2%	晶體平面度	λ/8 @ 633nm
建議輸出調(diào)Q能量	100 mJ	消光比	300:1 - 500:1
電容	5pF	X面鍍金鉻電極
損傷閾值	100 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz （LN開關(guān)） 200 MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz （MgO:LN開關(guān)）