DKDP電光Q開關(guān)資訊

2019-12-05

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產(chǎn)品特性：
　　磷酸二氘鉀DKDP（KD*P）晶體光學(xué)損耗低，消光比高，電光性能好，應(yīng)用廣泛，通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘鉀晶體（DKDP）利用其縱向效應(yīng)制成電光調(diào)Q開關(guān)，適合用于脈沖固體激光器中，通常應(yīng)用于低重復(fù)頻率條件時(shí)激光美容與激光醫(yī)療等領(lǐng)域，但是因?yàn)镈KDP晶體電光應(yīng)用的缺點(diǎn)是四分之波電壓比較高，1KHz以上有振鈴效應(yīng)，快譜光電可提供DKDP電光調(diào)制器，DKDP單晶，雙晶電光開關(guān)等產(chǎn)品。
　　因DKDP晶體本身的易潮解性以及機(jī)械性能較差，建議使用時(shí)需注意在以下操作環(huán)境下使用：溫度操作范圍：10~50度，溫度變化每20分鐘不宜超過5度，環(huán)境濕度：<40% ,盡量搭配濕度控制裝置（干燥器皿及干燥劑）使用，不使用時(shí)請(qǐng)存儲(chǔ)于干燥箱內(nèi)。
　　注：由于DKDP普克爾盒所需施加的四分之一波長(zhǎng)電壓和半波電壓與溫度有關(guān)，在1064nm波長(zhǎng)下，四分之一波長(zhǎng)電壓隨溫度變化的規(guī)律是溫度每升高1oC，所需四分之一波長(zhǎng)電壓升高約50V。即，dV/dT約為+50V/oC 。

DKDP電光Q開關(guān)

應(yīng)用范圍：
　　●染料激光器800nm二、三倍頻以及1064nm 二、三、四倍頻
　　●電光調(diào)制、電光調(diào)Q
　　●高速攝像開關(guān)

KDP & DKDP電光晶體標(biāo)準(zhǔn)要求
截面	5 x 5 ~ 50 x 50 mm2
長(zhǎng)度	2 mm ~ 40 mm
超大尺寸	100x100mm2
含氘量	>96%
平面度	λ/8 ~ λ/4 @ 633nm
波前畸變	λ/8 ~ λ/4 @ 633nm
定向精度	0.2°
透過畸變	λ/8 @ 633nm
光學(xué)平行	< 20 arc sec.
側(cè)垂	< 10 arc sec.
光潔度	10-5 膜后20-10 or 40-20
倒邊	<0.2mm x 45°
鍍膜指標(biāo)	AR/AR 1064nm (R<0.2%@1064nm)
損傷閾值	350MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz

KDP與DKDP晶體屬性參數(shù)
	DKDP	KDP
化學(xué)式	KH2PO4	KD2PO4
透光波段	200-2150nm	178-1580nm
非線性系數(shù)	d36=0.40pm/V	d36=0.44pm/V
電光系數(shù)	γ63=25pm/V γ41=8.8pm/V	γ63=10.3pm/V γ41=8.8pm/V
吸收系數(shù)	0.005/cm	0.07/cm
半波電壓	2.98KV 546nm	7.65KV 546nm

標(biāo)準(zhǔn)要求（DKDP電光調(diào)Q及電光調(diào)制器）
截面	最大	直徑50 mm2
	最小	直徑5 mm2
長(zhǎng)度	最長(zhǎng)	40 mm
透過畸變		λ/8 @ 633nm
光學(xué)平行		< 20 arc sec.
側(cè)垂		< 5 arc sec.
光潔度		10-5 膜后20-10
四分之一波電壓		3.2kV at 1064nm, 20oC
半波電壓		6.4kV at 1064nm, 20oC
輸入/輸出端鍍膜		300-1200nm可訂制
透過畸變		λ/8 @ 633nm
整體透過率		>98%
損傷閾值		350 MW/cm2 at 1064nm, 10ns, 1Hz

DKDP電光Q開關(guān)

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格（Z切DKDP晶體）
單晶DKDP開關(guān)
序列號(hào)	通光孔徑	外殼尺寸（可按客戶設(shè)計(jì)）	四分之波電壓		電容
CPDPC-15	Dia.15 mm	Ф35×45mm	3300V at 20oC		<15pF
CPDPC-12	Dia.12 mm	Ф32×40mm/Ф25.4×33mm	3300V at 20oC		<7pF
CPDPC-10	Dia.10mm	Ф32×40mm/Ф25.4×33mm	3300V at 20oC		<6pF
CPDPC-08	Dia.8mm	Ф20×35mm/Ф19×25mm	3300V at 20oC		<5pF
消光比	>1500:1
雙晶DKDP開關(guān)
序列號(hào)	通光孔徑	外殼尺寸（可按客戶設(shè)計(jì)）		四分之波電壓	電容
CPDDPC-10	Dia.10mm	Ф50×70mm		1600V at 20oC	<15pF
CPDDPC-08	Dia.8mm	Ф50×70mm		1600V at 20oC	<7pF
消光比	>500:1