相對(duì)于傳統(tǒng)的KD*P電光調(diào)制晶體，BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數(shù)，弱的壓電振鈴效應(yīng)，更寬的光譜透過范圍（210-2000nm）等優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于RTP電光調(diào)制晶體，BBO晶體具有更高的消光比、三倍頻晶體廠家告訴您:抗損傷閾值和溫度適應(yīng)性，有利于提高激光輸出功率的穩(wěn)定性。因此，由BBO晶體制成的電光Q開關(guān)常被應(yīng)用于高重復(fù)頻率（1MHz），高功率（高達(dá)1000W）的電光調(diào)Q固體激光器，腔倒空調(diào)Q激光器和全固態(tài)皮秒、飛秒再生放大激光系統(tǒng)中，我們也提供配套的調(diào)制，調(diào)Q，選單，再生放大等驅(qū)動(dòng)電源。由于電光Q開關(guān)的的關(guān)斷時(shí)間（<4ns）遠(yuǎn)短于聲光Q開關(guān)的關(guān)斷時(shí)間（<100ns），因此，采用BBO電光 Q開關(guān)的全固態(tài)短腔調(diào)Q激光器可產(chǎn)生脈沖寬度小于4ns的高能激光，是作為電光內(nèi)雕機(jī)的建議光源。在無需水冷的情況下，BBO電光Q開關(guān)可關(guān)斷并承受高達(dá)150W的腔內(nèi)振蕩光功率（激光輸出功率高達(dá)50W）。BBO晶體缺點(diǎn)是電光系數(shù)小，半波電壓相對(duì)較高，因此可通過增長(zhǎng)晶體長(zhǎng)度、減少電極間距，以及采用兩塊BBO晶體串聯(lián)方式來減少半波電壓和四分之波電壓。COUPLETECH從應(yīng)用角度特意推出單晶，雙晶BBO電光Q開關(guān)，BBO電光調(diào)制器等常規(guī)產(chǎn)品。

產(chǎn)品特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)：
　　●插拔式電極插針
　　●硬陶瓷端蓋設(shè)計(jì)
　　●通光孔徑小于晶體橫截面的設(shè)計(jì)
　　●抗高功率抗高溫材料殼體設(shè)計(jì)
　　●特有的低應(yīng)力裝配技術(shù)
　　●超高要求的晶體質(zhì)量控制
　　●超小的體積，超輕的質(zhì)量，超緊湊的設(shè)計(jì)

（圖1）

（圖2）

（圖3）