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DKDP電光Q開關(guān)（DKDP普克爾盒）
清庫存
DKDP Q開關(guān)產(chǎn)品特性：
磷酸二氘鉀DKDP（KD*P）晶體光學損耗低，消光比高，電光性能好，應用廣泛，通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘鉀晶體（DKDP）利用其縱向效應制成電光調(diào)Q開關(guān)，適合用于脈沖固體激光器中，通常應用于低重復頻率條件時激光美容與激光醫(yī)療等領域，但是因為DKDP晶體電光應用的缺點是四分之波電壓比較高，1KHz以上有振鈴效應，快譜光電可提供DKDP電光調(diào)制器，DKDP單晶，雙晶電光開關(guān)等產(chǎn)品。
因DKDP晶體本身的易潮解性以及機械性能較差，建議使用時需注意在以下操作環(huán)境下使用：溫度操作范圍：10~50度，溫度變化每20分鐘不宜超過5度，環(huán)境濕度：<40% ,盡量搭配濕度控制裝置（干燥器皿及干燥劑）使用，不使用時請存儲于干燥箱內(nèi)。
庫存規(guī)格（Z切DKDP晶體） | ||||
序列號 | 通光孔徑 | 外殼尺寸（可按客戶設計） | 四分之波電壓 | 電容 |
CPDPC-12 | Dia.12 mm | Ф32×36mm 單端插針 | 3300V at 20oC | <7pF |
CPDPC-10 | Dia.10mm | Ф25.4×39.5mm 柱面電極 | 3300V at 20oC | <6pF |
CPDPC-08 | Dia.8mm | Ф19×26mm/Ф19×29mm柱面引線/柱面電極/單端引線/雙端引線 | 3300V at 20oC | <5pF |
消光比 | >1500:1 | |||
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