硅酸鎵鑭晶體(LGS晶體)是一種具有很高損傷閾值的光學(xué)非線性材料,電光系數(shù)高,電光性能優(yōu)良,屬于三方晶系結(jié)構(gòu),熱膨脹系數(shù)較小,熱膨脹各向異性較弱,高溫的溫度穩(wěn)定性好(優(yōu)于石英晶體),具有的兩個(gè)獨(dú)立電光系數(shù),與BBO晶體的電光系數(shù)相當(dāng),很大的溫度范圍內(nèi)電光系數(shù)值保持穩(wěn)定,該晶體機(jī)械性能好、無(wú)解離性、不潮解、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,具有非常好的綜合性能。LGS晶體具有寬的透過(guò)波段,從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過(guò)率??蓱?yīng)用于電光調(diào)制、電光調(diào)q,缺點(diǎn)是電壓較高。
LGS晶體具有很廣泛的應(yīng)用范圍:除了壓電效應(yīng)、旋光效應(yīng)外,其電光效應(yīng)性能也非常優(yōu)越高重復(fù)頻率、大截面通光孔徑、窄脈寬、高功率、高低溫等情況LGS晶體電光Q開(kāi)關(guān)都適用,我們應(yīng)用LGS晶體的電光系數(shù)γ11來(lái)制作Q開(kāi)關(guān),選擇其較大的縱橫比來(lái)降低Q開(kāi)關(guān)的半波電壓,可應(yīng)用于更高功率重復(fù)頻率的全固態(tài)激光器的電光調(diào)Q,比如:可應(yīng)用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固態(tài)激光器,zui高頻率可達(dá)300KHZ,zui高輸出可達(dá)715w,脈寬為46ns,連續(xù)輸出可以達(dá)到近10w,光損傷閾值是LiNbO3晶體的9-10倍以上,1/2波電壓和1/4波電壓比同口徑BBO開(kāi)關(guān)低,且材料和裝配成本低于同口徑RTP開(kāi)關(guān),和DKDP開(kāi)關(guān)比較,不潮解,溫度穩(wěn)定性好,可以應(yīng)用在惡劣環(huán)境,是性能優(yōu)異的可以滿(mǎn)足不同應(yīng)用領(lǐng)域的電光開(kāi)關(guān)。
基本屬性:
化學(xué)式 | La3Ga5SiQ14 |
晶格參數(shù) | 三方晶體a=b=7.453A。,c=6.293A。 |
密度 | 5.75g/cm3 |
熔點(diǎn) | 1470℃ |
透過(guò)波段 | 242-3200nm |
折射率 | 1.89 |
電光系數(shù) | Y41=1.8pm/V,γ11=2.3pm/V |
電導(dǎo)率 | 1.7x1010Ω.cm |
潮解性 | 不潮解 |
熱膨脹系數(shù) | α11=5.15x10-6/K(⊥Z-axis); α33=3.65x10-6/K(∥Z-axis) |
標(biāo)準(zhǔn)要求:
晶體尺寸 | 2 x 2 - 8 x 8 mm |
外殼尺寸 | Dia.30-65 mm |
消光比 | >350:1 |
透過(guò)畸變 | λ/6 @ 632.8nm |
整體透過(guò)率 | >98% @ 1064nm |
電極間隔離性 | <1 |
光潔度 | 20/10 (膜后40/20) |
電容 | 9pF |
鍍膜 | AR/AR @ 1064nm (R<0.2%) |
抗光傷 | 600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm |
常規(guī)尺寸:
型號(hào) | CPLPC-0845-3065nm | CPLPC-0750-3065 |
外殼尺寸 | Dia.30 x 55mm | Dia.30 x 55mm |
晶體尺寸 | 8 x 8 x 45 mm | 7x 7 x 50 mm |
消光比 | >350:1 | >350:1 |
整體透過(guò)率 | >98% | >98% |
1/4波電壓 | 3.2 kv | 3.2 kv |
透過(guò)畸變 | λ/6 | λ/6 |
波長(zhǎng) | 其他波長(zhǎng)可訂制 | 其他波長(zhǎng)可訂制 |
0531-88153122
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