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β相偏硼酸鋇（BBO）晶體
晶體特性：
BBO晶體可透過波段范圍寬（190—3500nm），尤其是紫外波段透過好，缺點是具有較小的接收角和較大的發(fā)散角，BBO晶體具有高損傷域值，適合應(yīng)用于高功率，光學(xué)均勻性好，是一種高效的非線性晶體。
應(yīng)用范圍：
可以廣泛地應(yīng)用在染料激光器，超快脈沖激光器，鈦藍寶石，氬離子激光器以及銅蒸汽激光器等不同類型的激光器，例如1064nm和800nm二、三、四倍頻，另外BBO晶體的OPO和OPA系統(tǒng)還可用來產(chǎn)生從紫外到紅外的大范圍可調(diào)相干光輸出，電光效應(yīng)好，也是常被制成電光調(diào)Q及調(diào)制器件的一種電光晶體。
標準要求 | |||
長度 Length | 0.01mm ~ 25mm | 平行 Parallelism | 20 arc sec. |
波前畸變 Wavefront distortion | λ/8 @ 633nm | 光潔度 Surface quality | 10-5 膜后 40-20 |
損傷閾值 Damage threshold | 600 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz | 平面度 Flatness | λ/8 @ 633nm |
鍍膜 Coatings | AR/AR @ 1064nm X面鍍金 Au-Cr Electrode P-coatings for thickness:0.01mm ~ 1mm | ||
（表1）
BBO晶體標準規(guī)格 | |||
序列號 | 定向 | 晶體尺寸 | 膜系 |
CPBB0Z-0320 | Z切 | 3x3x20mm3 | AR/AR @ 1064nm X面鍍金 |
CPBB0Z-0420 | Z切 | 4x4x20mm3 | AR/AR @ 1064nm X面鍍金 |
CPBBSH-0501-1064 | SHG at 1064nm | 5x5x0.5mm3 | P-coatings @ 1064nm + 532nm |
CPBBSH-0501-800 | SHG at 800nm | 5x5x0.5mm3 | P-coatings @ 800nm + 400nm |
CPBBSH-0306-532 | SHG at 532nm | 3x3x6 mm3 | AR/AR @ 532nm + 266nm |
備注：BBO薄片帶25.4mm支架，長期提供常規(guī)規(guī)格產(chǎn)品。 | |||
（表2）
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