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晶體特性：
光學(xué)級摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體和鈮酸鋰（LN）晶體擁有較好的電光性能，非線性系數(shù)大，光學(xué)均勻性好，機械及化學(xué)性能穩(wěn)定，不潮解，半波電壓低，缺點是消光比低，抗損傷閾值低。
應(yīng)用范圍：
LN晶體應(yīng)用波長范圍寬廣（420 – 5200nm），常被應(yīng)用于Er：YAG,Ho：YAG，Tm：YAG激光器中，除了非線性應(yīng)用，鈮酸鋰還作為電光材料在光通訊中起到光調(diào)制作用。。我公司還可提供摻鐵鈮酸鋰晶體（Fe：LiNbO3晶體）。
標(biāo)準(zhǔn)要求 | |||
消光比 | 300:1-700:1 | 平行 | < 20 arc sec. |
整體透過率 | > 98% | 波前畸變 | λ/4 @ 633nm |
平面度
| λ/8 @ 633nm | 光潔度 | 10-5 膜后 20-10 |
損傷閾值
| 100 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz（LN） 200 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz（MgO:LN） | ||
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