漢中LGS電光Q開關

所屬分類：漢中電光開關
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發(fā)布日期：2021-05-24

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產(chǎn)品概述
性能特點
技術參數(shù)

　　硅酸鎵鑭晶體（LGS晶體）是一種具有很高損傷閾值的光學非線性材料，電光系數(shù)高，電光性能優(yōu)良，屬于三方晶系結(jié)構，熱膨脹系數(shù)較小，熱膨脹各向異性較弱，高溫的溫度穩(wěn)定性好(優(yōu)于石英晶體)，具有的兩個獨立電光系數(shù)，與BBO晶體的電光系數(shù)相當，很大的溫度范圍內(nèi)電光系數(shù)值保持穩(wěn)定，該晶體機械性能好、無解離性、不潮解、物理化學性質(zhì)穩(wěn)定，具有非常好的綜合性能。LGS晶體具有寬的透過波段，從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率?？蓱糜?a href='http://qihuailong.cn/product/738.html' target='_blank' class='key_tag'>電光調(diào)制、電光調(diào)q，缺點是電壓較高。

LGS晶體和Q開關

　　LGS晶體具有很廣泛的應用范圍：除了壓電效應、旋光效應外，其電光效應性能也非常優(yōu)越高重復頻率、大截面通光孔徑、窄脈寬、高功率、高低溫等情況LGS晶體電光Q開關都適用，我們應用LGS晶體的電光系數(shù)γ11來制作Q開關，選擇其較大的縱橫比來降低Q開關的半波電壓，可應用于更高功率重復頻率的全固態(tài)激光器的電光調(diào)Q，比如:可應用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固態(tài)激光器，zui高頻率可達300KHZ，zui高輸出可達715w，脈寬為46ns，連續(xù)輸出可以達到近10w，光損傷閾值是LiNbO3晶體的9-10倍以上，1/2波電壓和1/4波電壓比同口徑BBO開關低，且材料和裝配成本低于同口徑RTP開關，和DKDP開關比較，不潮解，溫度穩(wěn)定性好，可以應用在惡劣環(huán)境，是性能優(yōu)異的可以滿足不同應用領域的電光開關。

基本屬性：

化學式	La3Ga5SiQ14
晶格參數(shù)	三方晶體a=b=7.453A。,c=6.293A。
密度	5.75g/cm3
熔點	1470℃
透過波段	242-3200nm
折射率	1.89
電光系數(shù)	Y41=1.8pm/V，γ11=2.3pm/V
電導率	1.7x1010Ω.cm
潮解性	不潮解
熱膨脹系數(shù)	α11=5.15x10-6/K(⊥Z-axis); α33=3.65x10-6/K(∥Z-axis)

標準要求：

晶體尺寸	2 x 2 - 8 x 8 mm
外殼尺寸	Dia.30-65 mm
消光比	＞350:1
透過畸變	λ/6 @ 632.8nm
整體透過率	＞98% @ 1064nm
電極間隔離性	<1
光潔度	20/10 (膜后40/20)
電容	9pF
鍍膜	AR/AR @ 1064nm (R<0.2%)
抗光傷	600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm

常規(guī)尺寸：

型號	CPLPC-0845-3065nm	CPLPC-0750-3065
外殼尺寸	Dia.30 x 55mm	Dia.30 x 55mm
晶體尺寸	8 x 8 x 45 mm	7x 7 x 50 mm
消光比	＞350:1	＞350:1
整體透過率	＞98%	＞98%
1/4波電壓	3.2 kv	3.2 kv
透過畸變	λ/6	λ/6
波長	其他波長可訂制	其他波長可訂制