漢中硅酸鎵鑭（LGS）晶體

所屬分類：漢中電光晶體
瀏覽次數(shù)：次
發(fā)布日期：2024-08-28

我要詢價(jià)

產(chǎn)品概述
性能特點(diǎn)
技術(shù)參數(shù)

硅酸鎵鑭晶體（LGS晶體）是一種具有很高損傷閾值的光學(xué)非線性材料，電光系數(shù)高，電光性能優(yōu)良，屬于三方晶系結(jié)構(gòu)，熱膨脹系數(shù)較小，晶體的熱膨脹各向異性較弱，高溫的溫度穩(wěn)定性好(優(yōu)于石英晶體)，具有的兩個(gè)獨(dú)立電光系數(shù)與BBO晶體的系數(shù)相當(dāng)，電光系數(shù)值在很大的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定，該晶體機(jī)械性能好、無(wú)解離性、不潮解、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，具有非常好的綜合性能。LGS晶體具有寬的透過(guò)波段，從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過(guò)率?？蓱?yīng)用于電光調(diào)制、電光調(diào)q。

LGS晶體

LGS晶體具有很廣泛的應(yīng)用范圍：除了壓電效應(yīng)、旋光效應(yīng)外，其電光效應(yīng)性能也非常優(yōu)越高重復(fù)頻率、大截面通光孔徑、窄脈寬、高功率、高低溫等情況LGS晶體電光Q開(kāi)關(guān)都適用，我們應(yīng)用LGS晶體的電光系數(shù)γ11來(lái)制作Q開(kāi)關(guān)，選擇其較大的縱橫比來(lái)降低Q開(kāi)關(guān)的半波電壓，可應(yīng)用于更高功率重復(fù)頻率的全固態(tài)激光器的電光調(diào)Q，比如:可應(yīng)用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固態(tài)激光器，較高頻率可達(dá)300KHZ，較高輸出可達(dá)715w，脈寬為46ns，連續(xù)輸出可以達(dá)到近10w，光損傷閾值是LiNbO3晶體的9-10倍以上，1/2波電壓和1/4波電壓比同口徑BBO開(kāi)關(guān)低，且材料和裝配成本低于同口徑RTP開(kāi)關(guān)，和DKDP開(kāi)關(guān)比較，不潮解，溫度穩(wěn)定性好，可以應(yīng)用在惡劣環(huán)境，是性能優(yōu)異的可以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的電光開(kāi)關(guān)。

基本屬性：

化學(xué)式	La3Ga5SiQ14
晶格參數(shù)	三方晶體a=b=7.453A。,c=6.293A。
密度	5.75g/cm3
熔點(diǎn)	1470℃
透過(guò)波段	242-3200nm
折射率	1.89
電光系數(shù)	Y41=1.8pm/V，γ11=2.3pm/V
電導(dǎo)率	1.7x1010Ω.cm
潮解性	不潮解
熱膨脹系數(shù)	α11=5.15x10-6/K(⊥Z-axis); α33=3.65x10-6/K(∥Z-axis)

標(biāo)準(zhǔn)要求：

晶體尺寸	2 x 2 - 8 x 8 mm
外殼尺寸	Dia.20-35 mm
消光比	＞500:1
透過(guò)畸變	λ/6 @ 632.8nm
整體透過(guò)率	＞98% @ 1064nm
電極間隔離性	<1
光潔度	20/10 (膜后40/20)
電容	8 pF
鍍膜	AR/AR @ 1064nm (R<0.2%)
抗光傷	900MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm

常規(guī)尺寸：

型號(hào)	LG-EO-Q-30-65-1064-8
外殼尺寸	Dia.30 x 65mm
晶體尺寸	8 x 8 x 45 mm
消光比	＞500:1
整體透過(guò)率	＞98%
1/4波電壓	3.2 kv
透過(guò)畸變	λ/6
波長(zhǎng)	其他波長(zhǎng)可訂制

型號(hào)	LG-EO-Q-30-65-1064-7
外殼尺寸	Dia.30 x 65mm
晶體尺寸	7 x 7 x 50 mm
消光比	＞500:1
整體透過(guò)率	＞98%
1/4波電壓	3.2 kv
透過(guò)畸變	λ/6
波長(zhǎng)	其他波長(zhǎng)可訂制