BBO電光Q開關(guān)
(BBO普克爾盒)
相對(duì)于傳統(tǒng)的KD*P電光調(diào)制晶體,BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數(shù),弱的壓電振鈴效應(yīng),更寬的光譜透過范圍(210-2000nm)等優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于RTP電光調(diào)制晶體,BBO晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度適應(yīng)性,有利于提高激光輸出功率的穩(wěn)定性。因此,由BBO晶體制成的電光Q開關(guān)常被應(yīng)用于高重復(fù)頻率(1MHz),高功率(高達(dá)1000W)的電光調(diào)Q固體激光器,腔倒空調(diào)Q激光器和全固態(tài)皮秒、飛秒再生放大激光系統(tǒng)中。在無(wú)需水冷的情況下,BBO電光Q開關(guān)可關(guān)斷并承受高達(dá)150W的腔內(nèi)振蕩光功率(激光輸出功率高達(dá)50W)。BBO晶體缺點(diǎn)是電光系數(shù)小,半波電壓相對(duì)較高,因此可通過增長(zhǎng)晶體長(zhǎng)度,以及采用兩塊BBO晶體串聯(lián)方式來減少半波電壓和四分之波電壓??熳V光電從應(yīng)用角度特意推出單晶,雙晶BBO電光Q開關(guān),BBO電光調(diào)制器等常規(guī)產(chǎn)品,同時(shí)我們也將提供配套的調(diào)制、調(diào)Q、選單、再生放大驅(qū)動(dòng)電源等相關(guān)產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì):
? 插拔式電極插針
? 通光孔徑小于晶體橫截面的設(shè)計(jì)
? 抗高功率抗高溫材料殼體設(shè)計(jì)
? 特有的低應(yīng)力裝配技術(shù)
? 超高要求的晶體質(zhì)量控制
? 超小的體積,超輕的質(zhì)量,超緊湊的設(shè)計(jì)
產(chǎn)品規(guī)格型號(hào):
BBO單晶開關(guān)規(guī)格參數(shù) | ||||||
產(chǎn)品型號(hào) | CPBPC-02502525-2035 | CPBPC- 02502525-151728S | CPBPC-030320-2035 | CPBPC-030325-2035 | CPBPC-040420-2035 | CPBPC-040425-2035 |
通光孔徑, mm | 2.2 | 2.2 | 2.7 | 2.7 | 3.7 | 3.7 |
晶體尺寸, (W×H×L), mm3 | 2.5x2.5x25 | 2.5x2.5x25 | 3x3x20 | 3x3x25 | 4x4x20 | 4x4x25 |
外殼尺寸 (mm) | Dia.20x35 | 15x17.5x28 方形外殼 | Dia.20x35 | Dia.20x35 | Dia.20x35 | Dia.20x35 |
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC | 2.4kV | 2.4kV | 3.6kV | 2.9kV | 4.8kV | 3.9kV |
電容, pF | 2.2 | 2.2 | 3 | 3 | 4 | 4 |
透過率(%) | >99% | |||||
消光比(Voltage-Free) |
1000:1 | |||||
使用波長(zhǎng) | 1030nm-1064nm | |||||
抗光傷 10ns 10Hz 1064nm |
600MW/cm2 |
(圖3)
BBO雙晶開關(guān)規(guī)格參數(shù) | ||
產(chǎn)品型號(hào) | CPDBPC-030320-2555 | CPDBPC-040420-2555 |
通光孔徑, mm | 2.7 | 3.7 |
晶體尺寸, (W×H×L), mm3 | 3x3x20 一對(duì) | 4x4x20 一對(duì) |
外殼尺寸 (nm) | Dia.25x55 | Dia.25x55 |
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC | 1.8kV | 2.4kV |
電容, pF | 6 | 7 |
透過率(%) | >99 | |
消光比 (Voltage-Free) | >500:1 | |
使用波長(zhǎng) | 1030nm-1064nm | |
抗光傷 10ns 10Hz 1064nm | 600MW/cm2 |
產(chǎn)品外觀圖:
0531-88153122
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