樂(lè)東黎族自治縣磷酸鈦氧鉀（KTiOPO4,KTP）晶體

所屬分類(lèi)：樂(lè)東黎族自治縣非線(xiàn)性晶體
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發(fā)布日期：2024-08-28

我要詢(xún)價(jià)

產(chǎn)品概述
性能特點(diǎn)
技術(shù)參數(shù)

晶體特性：
　　KTP的非線(xiàn)性系數(shù)大，溫度敏感性低，機(jī)械性能良好，不潮解，是綜合性能好的非線(xiàn)性晶體之一。

磷酸鈦氧鉀（KTP）晶體（KTiOPO4）

應(yīng)用范圍：
　　倍頻、混頻、光參量振蕩、電光調(diào)制以及光波導(dǎo)等器件中，常用于小功率綠光激光器中，倍頻轉(zhuǎn)換效率為60%，腔內(nèi)倍頻zui高可以達(dá)到70%。在高溫使用條件下（處于溫控裝置中），例如40°，60°和80°時(shí)性能會(huì)更加穩(wěn)定。

標(biāo)準(zhǔn)要求
KTP SHG 倍頻應(yīng)用常規(guī)波長(zhǎng) SHG 倍頻 1064.0（e）+1064.0nm（o）->532.0nm（e）
損傷閾值	300-400 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz	平行	< 10 arc sec.
鍍膜膜系	AR/AR @ 1064nm	光潔度	10-5 膜后 20-10
波前畸變	λ/8 @ 633nm	平面度	λ/8 @ 633nm
KTP OPO 光參量震蕩應(yīng)用常規(guī)波長(zhǎng)1570nm 1064nm（o）-> 1570nm（o）+3301.3nm（e）常規(guī)波長(zhǎng)2128nm 1064nm（o）-> 2128nm（o）+2128nm（e）
平行	< 20 arc sec.	定向	< 6 arc min.
損傷閾值	450 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

（表1）

KTP 倍頻和差頻應(yīng)用常規(guī)波長(zhǎng) SHG 倍頻 1064.0(e)+1064.0nm(o) –>532.0nm(e) 常規(guī)波長(zhǎng) SFG 差頻 1064.0nm(e)+1319.0nm(o) –> 589.0nm(o)
序列號(hào)	應(yīng)用	晶體尺寸	選材
CPKTSH-0310	1064nm倍頻	3x3x10mm3	A級(jí)選料，光斑模式好
CPKTSH-0410	1064nm倍頻	4x4x10mm3	A級(jí)選料，光斑模式好
CPKTSH-0808	1064nm倍頻	8x8x8mm3	A級(jí)選料，光斑模式好
CPKTSH-0906	1064nm倍頻	9x9x6mm3	A級(jí)選料，光斑模式好
CPKTSH-1006	1064nm倍頻	10x10x6mm3	A級(jí)選料，光斑模式好
損傷閾值	450 MW/cm2 at 1064nm, 10ns	定向精度	<6分
KTP OPO 光參量振蕩應(yīng)用常規(guī)波長(zhǎng)1570nm 1064nm (o) –> 1570nm (o) + 3301.3nm (e) 常規(guī)波長(zhǎng)2128nm 1064nm (o) –> 2128nm (o) + 2128nm (e)
序列號(hào)	應(yīng)用	晶體尺寸	膜系
CPKTOP-0520-ARAR	1064nm OPO 1570nm	5x5x20mm3	AR/AR @ 1064+1570nm
CPKTOP-0420-HRHR-45%	1064nm OPO 1570nm	4x4x20mm3	S1:HR@1570nm+HT@1064nm, S2:PR@1570nm(T=45%)+HR@1064nm
CPKTOP-1020	1064nm OPO 1570nm	10x10x20mm3	AR/AR @ 1064+1570nm(R<0.2%)
CPKTOP-0620-2128	1064nm OPO 2128nm	6x6x20mm3	AR/AR @ 1064+2128nm(R<0.2%)
平行	<20秒	定向	<12分
損傷閾值	450 MW/cm2 at 1064nm, 10ns, 10Hz