BBO電光Q開關
(BBO普克爾盒)
相對于傳統(tǒng)的KD*P電光調制晶體,BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數,弱的壓電振鈴效應,更寬的光譜透過范圍(210-2000nm)等優(yōu)點。相對于RTP電光調制晶體,BBO晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度適應性,有利于提高激光輸出功率的穩(wěn)定性。因此,由BBO晶體制成的電光Q開關常被應用于高重復頻率(1MHz),高功率(高達1000W)的電光調Q固體激光器,腔倒空調Q激光器和全固態(tài)皮秒、飛秒再生放大激光系統(tǒng)中。在無需水冷的情況下,BBO電光Q開關可關斷并承受高達150W的腔內振蕩光功率(激光輸出功率高達50W)。BBO晶體缺點是電光系數小,半波電壓相對較高,因此可通過增長晶體長度,以及采用兩塊BBO晶體串聯(lián)方式來減少半波電壓和四分之波電壓??熳V光電從應用角度特意推出單晶,雙晶BBO電光Q開關,BBO電光調制器等常規(guī)產品,同時我們也將提供配套的調制、調Q、選單、再生放大驅動電源等相關產品。
產品特點及優(yōu)勢:
? 插拔式電極插針
? 通光孔徑小于晶體橫截面的設計
? 抗高功率抗高溫材料殼體設計
? 特有的低應力裝配技術
? 超高要求的晶體質量控制
? 超小的體積,超輕的質量,超緊湊的設計
產品規(guī)格型號:
BBO單晶開關規(guī)格參數 | ||||||
產品型號 | CPBPC-02502525-2035 | CPBPC- 02502525-151728S | CPBPC-030320-2035 | CPBPC-030325-2035 | CPBPC-040420-2035 | CPBPC-040425-2035 |
通光孔徑, mm | 2.2 | 2.2 | 2.7 | 2.7 | 3.7 | 3.7 |
晶體尺寸, (W×H×L), mm3 | 2.5x2.5x25 | 2.5x2.5x25 | 3x3x20 | 3x3x25 | 4x4x20 | 4x4x25 |
外殼尺寸 (mm) | Dia.20x35 | 15x17.5x28 方形外殼 | Dia.20x35 | Dia.20x35 | Dia.20x35 | Dia.20x35 |
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC | 2.4kV | 2.4kV | 3.6kV | 2.9kV | 4.8kV | 3.9kV |
電容, pF | 2.2 | 2.2 | 3 | 3 | 4 | 4 |
透過率(%) | >99% | |||||
消光比(Voltage-Free) |
1000:1 | |||||
使用波長 | 1030nm-1064nm | |||||
抗光傷 10ns 10Hz 1064nm |
600MW/cm2 |
(圖3)
BBO雙晶開關規(guī)格參數 | ||
產品型號 | CPDBPC-030320-2555 | CPDBPC-040420-2555 |
通光孔徑, mm | 2.7 | 3.7 |
晶體尺寸, (W×H×L), mm3 | 3x3x20 一對 | 4x4x20 一對 |
外殼尺寸 (nm) | Dia.25x55 | Dia.25x55 |
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC | 1.8kV | 2.4kV |
電容, pF | 6 | 7 |
透過率(%) | >99 | |
消光比 (Voltage-Free) | >500:1 | |
使用波長 | 1030nm-1064nm | |
抗光傷 10ns 10Hz 1064nm | 600MW/cm2 |
產品外觀圖: