臨滄H-KTP電光Q開關(guān)

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發(fā)布日期：2020-10-23

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產(chǎn)品概述
性能特點
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品詳情：
　　H-KTP晶體，采用水熱法生長，克服了普通熔鹽法KTP晶體常見的缺陷——“灰跡（Gray Track）”現(xiàn)象，具有高抗激光損傷閾值和高抗灰跡的能力，能夠長期穩(wěn)定的應用于中高功率、高重復頻率和高轉(zhuǎn)換效率的激光系統(tǒng)。
　　H-KTP晶體有良好的電光效應，可以用來做電光調(diào)Q開關(guān)和電光調(diào)制開關(guān)（普克爾盒），我司可以提供H-KTP電光Q開關(guān)配套的水冷結(jié)構(gòu)設(shè)計，因此可以應用于更高功率。快譜光電專業(yè)提供各種電光開關(guān)，接受特殊定制，定制設(shè)計周期為1 - 2周，應用于各種復雜環(huán)境，應用功率可高達幾百瓦。

H-KTP電光Q開關(guān)

產(chǎn)品特性：

●高轉(zhuǎn)換效率：60% - 70%

●高光學均勻性：Δn＜10-5

●低電導率：10-10/Ω?cm

●單疇結(jié)構(gòu)

●低吸收率：＜2000ppm/cm @532mm

＜150ppm/cm @1064mm

H-KTP電光Q開關(guān)

H-KTP標準要求
通光口徑	2mm × 2mm to 8mm × 8mm
zui大通光長度	15mm
尺寸公差	（寬±0.1mm）×（高±0.1mm）×（長±0.2mm）
zui大平均能量密度	4kW/cm2 @532nm
波前畸變	＜λ/8 @633nm
通光面平面度	＜λ/8 @633nm
通光面光潔度	＜10/5 (美軍標MIL-13830A)
通光面平行度	＜20秒
側(cè)面垂直度	＜5分
常用膜	AR/AR@1064&532nm
增透膜反射率	R< 0.2% @1064nm，R<0.5% @532 nm
增透膜損傷閾值	600MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz
1064nm 光的透過率	>98.5%

應用范圍：
　　●脈沖選擇
　　●電光調(diào)制、電光調(diào)Q

產(chǎn)品優(yōu)點：
　　●低插入損耗
　　●低半波電壓
　　●不潮解
　　●寬的透光波段
　　●高抗激光損傷閾值
　　●無壓電振鈴效應
　　●自動溫度補償范圍寬

產(chǎn)品規(guī)格：

標準規(guī)格（Z切DKDP晶體）
單晶DKDP開關(guān)
序列號	通光孔徑	外殼尺寸（可按客戶設(shè)計）	四分之波電壓	電容
CPHPC-4	3.6 mm	Ф20×35mm	1000V at 20oC	<4pF
CPDPC-8	7.6 mm	加底座支架	2000V at 20oC	<5pF
消光比	>150:1