眉山BBO電光Q開(kāi)關(guān)

所屬分類：眉山電光開(kāi)關(guān)
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發(fā)布日期：2021-09-09

我要詢價(jià)

產(chǎn)品概述
性能特點(diǎn)
技術(shù)參數(shù)

（BBO普克爾盒）

相對(duì)于傳統(tǒng)的KD*P電光調(diào)制晶體，BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數(shù)，弱的壓電振鈴效應(yīng)，更寬的光譜透過(guò)范圍（210-2000nm）等優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于RTP電光調(diào)制晶體，BBO晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度適應(yīng)性，有利于提高激光輸出功率的穩(wěn)定性。因此，由BBO晶體制成的電光Q開(kāi)關(guān)常被應(yīng)用于高重復(fù)頻率（1MHz），高功率（高達(dá)1000W）的電光調(diào)Q固體激光器，腔倒空調(diào)Q激光器和全固態(tài)皮秒、飛秒再生放大激光系統(tǒng)中。在無(wú)需水冷的情況下，BBO電光Q開(kāi)關(guān)可關(guān)斷并承受高達(dá)150W的腔內(nèi)振蕩光功率（激光輸出功率高達(dá)50W）。BBO晶體缺點(diǎn)是電光系數(shù)小，半波電壓相對(duì)較高，因此可通過(guò)增長(zhǎng)晶體長(zhǎng)度，以及采用兩塊BBO晶體串聯(lián)方式來(lái)減少半波電壓和四分之波電壓。快譜光電從應(yīng)用角度特意推出單晶，雙晶BBO電光Q開(kāi)關(guān)，BBO電光調(diào)制器等常規(guī)產(chǎn)品，同時(shí)我們也將提供配套的調(diào)制、調(diào)Q、選單、再生放大驅(qū)動(dòng)電源等相關(guān)產(chǎn)品。

調(diào)制器加工要求 BBO

產(chǎn)品特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)：
　　

? 插拔式電極插針

? 通光孔徑小于晶體橫截面的設(shè)計(jì)

? 抗高功率抗高溫材料殼體設(shè)計(jì)

? 特有的低應(yīng)力裝配技術(shù)

? 超高要求的晶體質(zhì)量控制

? 超小的體積，超輕的質(zhì)量，超緊湊的設(shè)計(jì)

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)：

BBO單晶開(kāi)關(guān)規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào)	CPBPC-02502525-2035	CPBPC- 02502525-151728S	CPBPC-030320-2035	CPBPC-030325-2035	CPBPC-040420-2035	CPBPC-040425-2035
通光孔徑, mm	2.2	2.2	2.7	2.7	3.7	3.7
晶體尺寸, (W×H×L), mm3	2.5x2.5x25	2.5x2.5x25	3x3x20	3x3x25	4x4x20	4x4x25
外殼尺寸（mm）	Dia.20x35	15x17.5x28 方形外殼	Dia.20x35	Dia.20x35	Dia.20x35	Dia.20x35
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	2.4kV	2.4kV	3.6kV	2.9kV	4.8kV	3.9kV
電容, pF	2.2	2.2	3	3	4	4
透過(guò)率（%）	＞99%
消光比（Voltage-Free）	1000：1
使用波長(zhǎng)	1030nm-1064nm
抗光傷 10ns 10Hz 1064nm	600MW/cm2

（圖3）

BBO雙晶開(kāi)關(guān)規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào)	CPDBPC-030320-2555	CPDBPC-040420-2555
通光孔徑, mm	2.7	3.7
晶體尺寸, (W×H×L), mm3	3x3x20 一對(duì)	4x4x20 一對(duì)
外殼尺寸 (nm)	Dia.25x55	Dia.25x55
λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC	1.8kV	2.4kV
電容, pF	6	7
透過(guò)率（%）	＞99
消光比（Voltage-Free）	>500:1
使用波長(zhǎng)	1030nm-1064nm
抗光傷 10ns 10Hz 1064nm	600MW/cm2