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清遠(yuǎn)β相偏硼酸鋇(BBO)晶體

清遠(yuǎn)β相偏硼酸鋇(BBO)晶體

  • 所屬分類:清遠(yuǎn)非線性晶體
  • 瀏覽次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2020-10-23
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點(diǎn)
  • 技術(shù)參數(shù)

β相偏硼酸鋇(BBO)晶體

晶體特性:


BBO晶體可透過波段范圍寬(190—3500nm),尤其是紫外波段透過好,缺點(diǎn)是具有較小的接收角和較大的發(fā)散角,BBO晶體具有高損傷域值,適合應(yīng)用于高功率,光學(xué)均勻性好,是一種高效的非線性晶體




 β相偏硼酸鋇(BBO)晶體


   β相偏硼酸鋇(BBO)晶體

應(yīng)用范圍:

  可以廣泛地應(yīng)用在染料激光器,超快脈沖激光器,鈦藍(lán)寶石,氬離子激光器以及銅蒸汽激光器等不同類型的激光器,例如1064nm和800nm二、三、四倍頻,另外BBO晶體的OPO和OPA系統(tǒng)還可用來產(chǎn)生從紫外到紅外的大范圍可調(diào)相干光輸出,電光效應(yīng)好,也是常被制成電光調(diào)Q及調(diào)制器件的一種電光晶體。

 

標(biāo)準(zhǔn)要求

長度

Length

0.01mm ~ 25mm

平行

Parallelism

 20 arc sec.

波前畸變

Wavefront distortion

λ/8 @ 633nm

光潔度

Surface quality

10-5 膜后 40-20

損傷閾值

Damage threshold

600 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz

平面度

Flatness

λ/8 @ 633nm

鍍膜

Coatings

AR/AR @ 1064nm X面鍍金 Au-Cr Electrode

P-coatings for thickness:0.01mm ~ 1mm

(表1)


BBO晶體標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格

序列號

定向

晶體尺寸

膜系

CPBB0Z-0320

Z切

3x3x20mm3

AR/AR @ 1064nm X面鍍金

CPBB0Z-0420

Z切

4x4x20mm3

AR/AR @ 1064nm X面鍍金

CPBBSH-0501-1064

SHG at 1064nm

5x5x0.5mm3

P-coatings @ 1064nm + 532nm

CPBBSH-0501-800

SHG at 800nm

5x5x0.5mm3

P-coatings @ 800nm + 400nm

CPBBSH-0306-532

SHG at 532nm

3x3x6 mm3

AR/AR @ 532nm + 266nm

備注:BBO薄片帶25.4mm支架,長期提供常規(guī)規(guī)格產(chǎn)品。

(表2)


標(biāo)簽

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