瓊中黎族苗族自治縣摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關(guān)

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發(fā)布日期：2023-12-19

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產(chǎn)品概述
性能特點
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特性:
　　光學(xué)級摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體以及鈮酸鋰（LN）晶體擁有較好的電光性能，非線性系數(shù)大，光學(xué)均勻性好，機(jī)械及化學(xué)性能穩(wěn)定，不潮解，半波電壓低，其缺點是消光比低，抗損傷閾值低，常被應(yīng)用于低重復(fù)頻率（100Hz）。

應(yīng)用范圍：
　　MgO:LN以及LN電光調(diào)Q開關(guān)應(yīng)用廣泛，常被應(yīng)用于Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG激光器中，適應(yīng)于低功率調(diào)Q輸出，尤其在激光測距領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。本公司推出LN電光開關(guān)和電光調(diào)制器可為客戶提供緊湊的小體積設(shè)計，可按客戶要求改變外殼圖紙，便于終調(diào)試和應(yīng)用。

摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關(guān)

標(biāo)準(zhǔn)要求（LN電光調(diào)Q及電光調(diào)制器）
截面	zui大	20 x 20 mm2
	zui小	4 x 1mm2
長度	zui大	60 mm
	zui小	5 mm
定向		10分
平面度		λ/8 @ 633nm
透過畸變		λ/4 @ 633nm
光學(xué)平行		< 20 arc sec.
側(cè)垂		< 5 arc sec.
光潔度		10-5 膜后20-10
輸入/輸出端鍍膜		300-3000nm可訂制
質(zhì)量有效期		一年

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
序列號	通光孔徑	外殼尺寸	晶體尺寸	半波電壓(@1064nm),kV DC	電容，pF	透過率	抗光傷，10nm 10HZ 1064nm	電極方式	消光比
CPMPC-0920-3026	9 mm	Dia.30mm x 26mm	9x9x20mm3	1.9kV	14pF	＞99%	200MW/cm2	柱面引線	300：1
CPMPC-0620-2533	6 mm	Dia.25mm x 33mm	6x6x20mm3	1.4kV	14pF	＞99%	200MW/cm2	柱面插針電極	300：1
CPMPC-0920-181720-S	9mm	18 x 17 x 20mm	9x9x20mm3	1.9kV	14pF	＞99%	200MW/cm2	方形外殼，插針電極	300：1