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三門峽摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體和鈮酸鋰晶體

三門峽摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體和鈮酸鋰晶體

  • 所屬分類：三門峽電光晶體
  • 瀏覽次數(shù)：次
  • 發(fā)布日期：2024-08-28
我要詢價(jià)
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點(diǎn)
  • 技術(shù)參數(shù)

晶體特性：
　　光學(xué)級(jí)摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體和鈮酸鋰（LN）晶體擁有較好的電光性能，非線性系數(shù)大，光學(xué)均勻性好，機(jī)械及化學(xué)性能穩(wěn)定，不潮解，半波電壓低，缺點(diǎn)是消光比低，抗損傷閾值低。


摻氧化鎂鈮酸鋰（MgO:LN）晶體


應(yīng)用范圍：
　　LN晶體應(yīng)用波長范圍寬廣（420 – 5200nm），常被應(yīng)用于Er：YAG,Ho：YAG，Tm：YAG激光器中，除了非線性應(yīng)用，鈮酸鋰還作為電光材料在光通訊中起到光調(diào)制作用。。我公司還可提供摻鐵鈮酸鋰晶體（Fe：LiNbO3晶體）。



標(biāo)準(zhǔn)要求

消光比

300:1-700:1

平行

< 20 arc sec.

整體透過率

> 98%

波前畸變

λ/4 @ 633nm

平面度

 

λ/8 @ 633nm

光潔度

10-5 膜后 20-10

損傷閾值

 

100 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz（LN）

200 MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz（MgO:LN）



標(biāo)簽

電光晶體LN晶體鈮酸鋰晶體
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