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RTP電光開(kāi)關(guān)
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濟(jì)南快譜光電技術(shù)有限公司

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上饒DKDP電光Q開(kāi)關(guān)

上饒DKDP電光Q開(kāi)關(guān)

  • 所屬分類:上饒電光開(kāi)關(guān)
  • 瀏覽次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2021-06-03
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點(diǎn)
  • 技術(shù)參數(shù)

DKDP電光Q開(kāi)關(guān)

(DKDP普克爾盒)


產(chǎn)品特性:

磷酸二氘鉀DKDP(KD*P)晶體光學(xué)損耗低,消光比高,電光性能好,應(yīng)用廣泛,通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘鉀晶體(DKDP)利用其縱向效應(yīng)制成電光調(diào)Q開(kāi)關(guān),適合用于脈沖固體激光器中,通常應(yīng)用于低重復(fù)頻率條件時(shí)激光美容與激光醫(yī)療等領(lǐng)域,但是因?yàn)镈KDP晶體電光應(yīng)用的缺點(diǎn)是四分之波電壓比較高,1KHz以上有振鈴效應(yīng),快譜光電特推出DKDP電光調(diào)制器,DKDP單晶,雙晶開(kāi)關(guān)以及DKDP低壓電振鈴效應(yīng)開(kāi)關(guān)等產(chǎn)品來(lái)豐富DKDP晶體電光應(yīng)用領(lǐng)域。

因DKDP晶體本身的易潮解性以及機(jī)械性能較差,建議使用時(shí)需注意在以下操作環(huán)境下使用:溫度操作范圍:10~50度,溫度變化每20分鐘不宜超過(guò)5度,環(huán)境濕度:<40% ,盡量搭配濕度控制裝置(干燥器皿及干燥劑)使用,不使用時(shí)請(qǐng)存儲(chǔ)于干燥箱內(nèi)。

注:由于DKDP普克爾盒所需施加的四分之一波長(zhǎng)電壓和半波電壓與溫度有關(guān),在1064nm波長(zhǎng)下,四分之一波長(zhǎng)電壓隨溫度變化的規(guī)律是溫度每升高1oC,所需四分之一波長(zhǎng)電壓升高約50V。即,dV/dT約為+50V/ oC 。


DKDP電光Q開(kāi)關(guān)01.jpg



KDP & DKDP電光晶體標(biāo)準(zhǔn)要求

截面

5 x 5 ~ 50 x 50 mm2

長(zhǎng)度

2 mm ~ 40 mm

超大尺寸

100x100mm2

含氘量

>96%

平面度

λ/8 ~ λ/4 @ 633nm

波前畸變

λ/8 ~ λ/4 @ 633nm

定向精度

0.2°

透過(guò)畸變

λ/8 @ 633nm

光學(xué)平行

< 20 arc sec.

側(cè)垂

< 10 arc sec.

光潔度

10-5 膜后20-10 or 40-20

倒邊

<0.2mm x 45°

鍍膜指標(biāo)

AR/AR 1064nm (R<0.2%@1064nm)

損傷閾值

350MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz


應(yīng)用范圍:
  ●染料激光器800nm二、三倍頻以及1064nm 二、三、四倍頻
  ●電光調(diào)制、電光調(diào)Q
  ●高速攝像開(kāi)關(guān) 


KDP與DKDP晶體屬性參數(shù)


DKDP

KDP

化學(xué)式

KH2PO4

KD2PO4

透光波段

200-2150nm

178-1580nm

非線性系數(shù)

d36=0.40pm/V

d36=0.44pm/V

電光系數(shù)

γ63=25pm/V  γ41=8.8pm/V

γ63=10.3pm/V  γ41=8.8pm/V

吸收系數(shù)

0.005/cm

0.07/cm

半波電壓

2.98KV 546nm

7.65KV 546nm


標(biāo)準(zhǔn)要求(DKDP電光調(diào)Q及電光調(diào)制器)

截面

最大

直徑50 mm2

最小

直徑5 mm2

長(zhǎng)度

最長(zhǎng)

40 mm

透過(guò)畸變

λ/8 @ 633nm

光學(xué)平行

< 20 arc sec.

側(cè)垂

< 5 arc sec.

光潔度

10-5 膜后20-10

四分之一波電壓

3.2kV at 1064nm, 20oC

半波電壓

6.4kV at 1064nm, 20oC

輸入/輸出端 鍍膜

300-1200nm可訂制

透過(guò)畸變

λ/8 @ 633nm

整體透過(guò)率

>98%

損傷閾值

350 MW/cm2 at 1064nm, 10ns, 1Hz


標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格(Z切DKDP晶體)

單晶DKDP開(kāi)關(guān)

產(chǎn)品型號(hào)

晶體尺寸

通光孔徑

外殼尺寸

抗光傷,

10ns 10Hz 1064nm

電極方式

消光比

λ/4電壓

(@1064 nm), kV DC

透過(guò)率

電容,pF

CPDPC-1520-3542-AR

Dia.15×20 mm3

15mm

Dia.35×42mm

350MW/cm2

柱面插針電極

1000:1

3.2kV

>98.5%

5pF

CPDPC-1220-3236-AR

Dia.12x20 mm3

12mm

Dia.32x36mm

600MW/cm2

端面插針電極

1000:1

3.2kV

>98.5%

5pF

CPDPC-1220-3240-AR

Dia.12x20 mm3

12mm

Dia.32x40mm

350MW/cm2

柱面插針電極

1000:1

3.2kV

>98.5%

5pF

CPDPC-1220-2540-AR

Dia.12x20 mm3

12mm

Dia.25x40mm

350MW/cm2 

柱面插針電極

1000:1

3.2kV

>98.5%

5pF

CPDPC-1020-2532-AR

Dia.10x20 mm3

10mm

Dia.25x32mm

350MW/cm2

柱面插針電極

1000:1

3.2kV

>98.5%

5pF

CPDPC-0816-1926-AR

Dia.8x16 mm3

8mm

Dia.19x26mm

350MW/cm2

柱面插針電擊

1000:1

3.2kV

>98.5%

5pF

CPDPC-0816-1926-SG

Dia.8x16 mm3

8mm

Dia.19x26mm

750MW/cm2 

(Sol-gel coatings)

柱面插針電極

1000:1

3.2kV

>98%

5pF

CPDPC-0816-2028-AR

Dia.8x16 mm3

8mm

Dia.20x28mm

350MW/cm2

柱面插針電極

1000:1

3.2kV

>98.5%

5pF

CPDPC-0816-1930-AR

Dia.8x16 mm3

8mm

Dia.19x30mm

350MW/cm2 

端面引線

1000:1

3.2kV

>98.5%

5pF

CPDPC-0918-1928-AR

Dia.9x18 mm3

8mm

Dia.19x28mm

350MW/cm2

端面插針電極

1000:1

3.2kV

>98.5%

5pF

雙晶DKDP開(kāi)關(guān)

產(chǎn)品型號(hào)

晶體尺寸

通光孔徑

外殼尺寸

抗光傷,

10ns 10Hz 1064nm

電極方式

消光比

λ/4電壓

(@1064 nm), kV DC

透過(guò)率

電容,pF

CPDDPC-1220-3565-AR

Dia.12×20mm

一對(duì)

12mm

Dia.35×65mm

350MW/cm2

柱面插針電極

500:1

1.6kV

>97.5%

8pF

image.png

           image.png

             image.png

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