十堰摻釹釩酸釔（Nd:YVO4）晶體

所屬分類(lèi)：十堰激光晶體
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發(fā)布日期：2024-08-28

我要詢(xún)價(jià)

產(chǎn)品概述
性能特點(diǎn)
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特性：

　　摻釹釩酸釔（Nd:YVO4）晶體是一種性能優(yōu)良的激光晶體，常應(yīng)用于半導(dǎo)體泵浦尤其是中低功率的激光器。與Nd:YAG相比Nd:YVO4晶體的優(yōu)勢(shì)是對(duì)泵浦光有更高的吸收系數(shù)和更大的受激發(fā)射截面，能輸出線(xiàn)性偏振光。半導(dǎo)體泵浦條件Nd:YVO4晶體與LBO, BBO, KTP等高非線(xiàn)性系數(shù)的晶體配合使用，能夠達(dá)到更好的倍頻轉(zhuǎn)換效率。

摻釹釩酸釔晶體

　　應(yīng)用范圍：

　　可以應(yīng)用于輸出近紅外、綠色、藍(lán)色到紫外線(xiàn)（RGB激光器）等全固態(tài)激光器。而且Nd:YVO4晶體使半導(dǎo)體泵浦固態(tài)激光器更小型化，另外拓展了單縱模輸出方面。Nd:YVO4激光器在加工、醫(yī)學(xué)、激光印刷、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，此外，Nd:YVO4和Nd:YVO4鍵合晶體的應(yīng)用領(lǐng)域還在不斷拓寬。

　　優(yōu)勢(shì)：
　　●在808nm左右的泵浦帶寬，約為Nd:YAG的5倍
　　● 在1064nm處的受激發(fā)射截面是Nd:YAG的3倍
　　● 光損傷閾低，高斜率效率
　　●雙軸晶體，輸出為線(xiàn)偏振光

標(biāo)準(zhǔn)要求
截面	~ 12mm2	長(zhǎng)度	0.5 ~ 30mm
平面度	λ/8 @ 633nm	波前畸變	λ/8 @ 633nm
側(cè)垂	<5 arc min.	受激輻射截面	25 x10-19cm2
平行	<10 arc sec.	常規(guī)波長(zhǎng)應(yīng)用	1064nm;1342nm;914nm
濃度范圍	0.1% ~ 3%	濃度控制精度	±0.05%
定向	a-cut, c-cut	定向精度	<6 arc min.
光潔度	10/5 膜后 20/10	損傷閾值	800MW/cm2 @ 1064nm,10ns,10Hz
鍍膜 Coatings	AR/AR@ 1064nm&808nm(R<0.2%)；AR/AR@ 1064nm&808nm&880nm(R<0.2%) AR/AR@ 1064nm&808nm&1342nm(R<0.5%) AR/AR@ 1064nm&808nm&914nm(R<0.5%)

（表1）

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格
序列號(hào)	濃度	晶體尺寸	膜系
CPNDEO-03-0310	0.3%	3x3x10mm3	AR/AR @ 1064nm + 808nm
CPNDEO-05-0415	0.5%	4x4x15mm3	AR/AR @ 1064nm + 808nm
CPND-05-0430-W	0.5%	4x4x30 mm3	AR/AR @ 1064+(800-895)nm
CPND-03-0308	0.3%	3x3x8mm3	AR/AR @ 1064+808+1342nm
CPNDDBC-0.3-0310	0.3%	3x3x(2+8)mm3	AR/AR @ 1064nm + 808nm
CPNDDBC-03-0320	0.3%	3x3x(2+16+2)mm3	AR/AR @ 1064nm + 808nm
可提供濃度范圍	0.1%~ 3%	濃度控制精度	±0.05%
定向：	A-cut C-cut	受激輻射截面	25x10-19cm2 1064nm
定向精度	<6分	損傷閾值	800MW/cm2 1064nm 10ns 10Hz
常規(guī)波長(zhǎng)應(yīng)用	1064nm; 1342nm; 914nm
我司可提供Nd:YVO4單端, 雙端鍵合晶體以及YAG+Nd:YAG, Nd:YAG+Cr:YAG, Yb:YAG+Cr:YAG鍵合晶體等。