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朔州摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關

朔州摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關

  • 所屬分類:朔州電光開關
  • 瀏覽次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2023-12-19
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點
  • 技術參數(shù)

產(chǎn)品特性:
  光學級摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)晶體以及鈮酸鋰(LN)晶體擁有較好的電光性能,非線性系數(shù)大,光學均勻性好,機械及化學性能穩(wěn)定,不潮解,半波電壓低,其缺點是消光比低,抗損傷閾值低,常被應用于低重復頻率(100Hz)。


應用范圍:
  MgO:LN以及LN電光調(diào)Q開關應用廣泛,常被應用于Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG激光器中,適應于低功率調(diào)Q輸出,尤其在激光測距領域發(fā)揮著重要的作用。本公司推出LN電光開關電光調(diào)制器可為客戶提供緊湊的小體積設計,可按客戶要求改變外殼圖紙,便于終調(diào)試和應用。


摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關


摻氧化鎂鈮酸鋰(MgO:LN)電光Q開關



標準要求(LN電光調(diào)Q電光調(diào)制器)

截面

zui大

20 x 20 mm2

zui小

4 x 1mm2

長度

zui大

60 mm

zui小

5 mm

定向

10分

平面度

λ/8 @ 633nm

透過畸變

λ/4 @ 633nm

光學平行

< 20 arc sec.

側垂

< 5 arc sec.

光潔度

10-5 膜后20-10

輸入/輸出端鍍膜

300-3000nm可訂制

質量有效期

一年

 

標準規(guī)格

序列號

通光孔徑

外殼尺寸

晶體尺寸

半波電壓(@1064nm),kV DC

電容,pF透過率

抗光傷,10nm 10HZ 1064nm

電極方式消光比

CPMPC-0920-3026

9 mm

Dia.30mm x 26mm

9x9x20mm3

1.9kV

14pF>99%200MW/cm2柱面引線300:1

CPMPC-0620-2533

6 mm

Dia.25mm x 33mm

6x6x20mm3

1.4kV

14pF>99%200MW/cm2柱面插針電極300:1

CPMPC-0920-181720-S

9mm

18 x 17 x 20mm

9x9x20mm3

1.9kV

14pF>99%200MW/cm2方形外殼,插針電極300:1


                    

     

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