硅酸鎵鑭晶體（LGS晶體）是一種具有很高損傷閾值的光學非線性材料，電光系數(shù)高，電光性能優(yōu)良，屬于三方晶系結(jié)構(gòu)，熱膨脹系數(shù)較小，熱膨脹各向異性較弱，高溫的溫度穩(wěn)定性好(優(yōu)于石英晶體)，具有的兩個獨立電光系數(shù)，與BBO晶體的電光系數(shù)相當，很大的溫度范圍內(nèi)電光系數(shù)值保持穩(wěn)定，該晶體機械性能好、無解離性、不潮解、物理化學性質(zhì)穩(wěn)定，具有非常好的綜合性能。LGS晶體具有寬的透過波段，從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率?？蓱?yīng)用于電光調(diào)制、電光調(diào)q，缺點是電壓較高。

　　LGS晶體具有很廣泛的應(yīng)用范圍：除了壓電效應(yīng)、旋光效應(yīng)外，其電光效應(yīng)性能也非常優(yōu)越高重復(fù)頻率、大截面通光孔徑、窄脈寬、高功率、高低溫等情況LGS晶體電光Q開關(guān)都適用，我們應(yīng)用LGS晶體的電光系數(shù)γ11來制作Q開關(guān)，選擇其較大的縱橫比來降低Q開關(guān)的半波電壓，可應(yīng)用于更高功率重復(fù)頻率的全固態(tài)激光器的電光調(diào)Q，比如:可應(yīng)用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固態(tài)激光器，zui高頻率可達300KHZ，zui高輸出可達715w，脈寬為46ns，連續(xù)輸出可以達到近10w，光損傷閾值是LiNbO3晶體的9-10倍以上，1/2波電壓和1/4波電壓比同口徑BBO開關(guān)低，且材料和裝配成本低于同口徑RTP開關(guān)，和DKDP開關(guān)比較，不潮解，溫度穩(wěn)定性好，可以應(yīng)用在惡劣環(huán)境，是性能優(yōu)異的可以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的電光開關(guān)。

基本屬性：

標準要求：

常規(guī)尺寸：