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產(chǎn)品詳情: H-KTP晶體,采用水熱法生長,克服了普通熔鹽法KTP晶體常見的缺陷——“灰跡(GrayTrack)”現(xiàn)象,具有高抗激光損傷閾值和高抗灰跡的能力,能夠長期穩(wěn)定的應(yīng)用于中高功率、高重復(fù)頻率和高轉(zhuǎn)換效率的激光系統(tǒng)?! -KTP
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DKDP電光Q開關(guān)(DKDP普克爾盒)產(chǎn)品特性:磷酸二氘鉀DKDP(KD*P)晶體光學(xué)損耗低,消光比高,電光性能好,應(yīng)用廣泛,通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘鉀晶體(DKDP)利用其縱向效應(yīng)制成電光調(diào)Q開關(guān),適合用于脈沖固體激光器中,通常