DKDP電光調(diào)制模塊主要特點：

·重復頻率0～400Hz

·晶壓2.0～5.0KV

·脈沖前沿≤10ns

·EMI/RFI屏蔽封裝

·TTL電平觸發(fā)光耦隔離

·輸入12±1VDC

·外置電位器控制輸出高壓

·高可靠性、全溫度范圍

應用范圍:

1.KD*P   2.LINbO 

3.其他光電晶體

（驅動Pockels cells）

應用范例：

a.中低重頻LD泵浦調(diào)Q固體激光器 

b.燈泵調(diào)Q固體激光器

模塊參數(shù)：

升壓模塊接線定義：

注意：

1.”SG+ SG-”與“EN+ EN-”控制信號輸入模塊內(nèi)部為光耦隔離設置

2. EN+ EN-為高壓使控制端（光耦輸入端）。不接或接入低電平高壓使能，接入高電平（3.3V/5.0V）高壓輸出為0.

3.SG+ SG-為外觸發(fā)信號輸入端（光耦輸入端）（3.3V/5.0V TTL）。輸入信號為上升沿觸發(fā)，外觸發(fā)信號與升壓脈沖輸出延時＜75ns

4.請將“HVPULSE”與“GND”接入調(diào)Q晶體兩端

6.用高壓探頭測試輸出高壓脈沖，請將高壓探頭的地與輸出地“GND”連接，用高壓探頭測試“HVPULSE”端，輸出高壓脈沖為負高壓脈沖。